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개요
때때로 저장 링 안에서 입자들이 가속되기도 하지만 이러한 링의 주목적은 서로 반대방향으로 움직이는 입자들간에 높은 에너지의 반응을 일으키도록 하는 것이다.
한 물체가 정지해 있는 동일한 물체에 와서 부딪치면 그 물체들을 가열하거나 변형시키는 에너지는 기껏해야 와서 부딪친 물체의 원래 운동 에너지의 반이다. 그러나 만약 그 두 물체가 반대방향으로 같은 속력으로 와서 부딪친다면 처음의 모든 에너지가 충돌 순간에 생기는 열이나 변형에 쓰일 수 있다. 만약 두 물체가 충돌 후 붙어버린다면 그 합쳐진 물체는 정지할 것이다.
그 속력이 광속에 근접하는 입자들에 있어서 이러한 효과는 더욱 두드러진다. 액체나 고체로 만들어진 표적의 단위 부피에는 가속된 빔에서 영향을 받을 수 있는 입자가 매우 많으나 한 빔이 다른 빔의 표적이 되면 상호작용할 수 있는 입자의 수는 훨씬 줄어든다. 상호작용이 일어나는 빈도는 두 빔 전류의 곱에 비례한다. 1956년 커스트는 고에너지 가속기의 빔 전류 자체는 작지만 자석 링을 도는 빔 전류는 입자의 높은 회전진동수의 결과로 높은 값을 갖는다는 것을 알았다. 그리하여 그러한 링에서 빔들이 돌면서 부딪치게 함으로써 상호작용에 관한 유용한 실험들을 해낼 수 있었다.
빔의 충돌에서 두 빔이 동일한 입자로 이루어진 경우에는(예를 들어 두 양성자 빔) 2개의 각각의 자석 링이 설치된다. 한 링에서는 입자를 시계방향으로 돌게 하고 다른 링에서는 입자를 시계반대방향으로 돌게 하도록 하면 자기장의 방향이 서로 반대로 향한다. 이 두 링은 빔이 충돌하는 충돌영역에서 서로 교차한다. 위 경우와 달리 두 빔을 이루는 입자의 전하가 반대일 때는(예를 들어 전자와 양전자 또는 양성자와 반양성자) 같은 진공 링에서 같은 자석에 의해 두 빔이 반대방향으로 돌게 한다.
입자들은 충돌영역에서만 충돌하도록 다발로 만들어진다. 현재 가장 높은 에너지에서의 상호작용은 저장 링에서 얻어진다. 저장 링을 이용한 실험이 불가능한 경우가 많이 있는데 그 저장 링에서 얻을 수 있는 상호작용의 종류가 정지표적으로 얻을 수 있는 것의 극히 일부분이라는 것과, 저장된 빔은 강한 2차 빔을 만들어내지 못한다는 것을 들 수 있다.
전자저장 링
전자와 양전자 간의 상호작용을 연구하기 위한 저장 링이 많이 지어졌으며 그 중심은 미국 캘리포니아의 스탠퍼드, 프랑스의 오르세, 독일의 함부르크, 이탈리아의 프라스카티, 러시아의 노보시비르스크 등지이다.
전형적인 전자-양전자 빔 충돌 가속기의 작동양식을 그림9에서 볼 수 있다. 전하가 반대이기 때문에 전자와 양전자는 동일한 자석 링을 반대방향으로 돈다. 그림에서는 링을 채우는 데 선형전자가속기를 쓰고 있지만 그 대신 싱크로트론을 쓸 수도 있다. 전자는 편향자석에 의해 링상의 전자주사점으로 보내진 후 시계방향으로 돈다. 양전자는 고에너지 전자에 의해 보통 변환기라고 하는 표적에서 만들어진 후 선형가속기의 2번째 단계에서 가속된다. 이들은 편향자석에 의해 양전자주사점으로 보내져서 링을 시계반대방향으로 돈다.
입자들은 복사에 의해 에너지를 잃기 때문에 에너지를 일정하게 유지하려면 가속 공동이 필요하다. 가속체계상 입자는 다발을 이루어 링을 돌기 때문에 링상의 단지 몇 지점(보통 2지점)에서만 충돌이 일어나게 된다. 이렇게 충돌을 적게 함으로써 서로간의 상호작용에 의한 영향으로 빔들이 퍼지는 것을 최소화하여 링 내에 좀더 강한 빔들을 만들어 쓸 수 있고, 가속기 작동도 간편해진다. 실험을 위한 측정장비들은 빔의 충돌지점 근처에 설치된다. 저장 링 내의 전자와 양전자는 매우 강력한(어떤 가속기에서는 1MW 이상) 싱크로트론 복사를 한다.
고에너지 저장 링에서 이러한 복사광의 파장은 X선 영역까지 뻗어 있다. 현재 쓰이고 있는 자외선과 X선 영역의 전자기복사 발생원 중 가장 강력한 것은 이 저장 링들이다. 이 복사광은 고체물리·생물물리·화학물리의 연구에서 점점 그 이용성이 커지고 있으며 비교적 에너지가 낮은 몇 개의 저장 링은 복사광의 이용을 위해서만 가동되고 있다.
양성자저장 링
가장 높은 상호작용 에너지는 저장 링에서 서로 반대로 도는 양성자와 반양성자의 충돌에서 얻어진다.
높은 에너지를 얻을 수 있는 이유는 양성자는 전자처럼 싱크로트론 복사로 많은 에너지를 방출하지 않기 때문이다. 강한 반양성자 빔을 만들려면 베타트론 진동의 진폭을 줄이고 또 모든 입자가 같은 에너지를 갖도록 하는(CERN에서 시몬 반 데르 메르가 개발함) 기술이 요구된다. CERN에서는 27GeV 싱크로트론의 양성자 빔으로 구리표적을 때려 만들어낸다. 이 방법은 매우 비능률적인데 그 이유는 이러한 방법으로 반양성자 하나를 만들어내려면 100만 개의 양성자가 표적을 때려야 하기 때문이다.
게다가 표적에서 나오는 반양성자의 에너지와 방향이 제멋대로이기 때문에 그것들을 자기장으로 모아 퍼진 빔의 상태로 만들어 관이 굵은 영역이 있는 작은 저장 링으로 주사시킨다. 반양성자가 이 링을 도는 동안 전자기기들이 빔이 이론궤도에서 벗어난 정도를 감지하여 교정해주고 또 입자들을 집속하여 균일한 에너지의 가는 빔을 형성한다. CERN에 있는 큰 저장 링에서 쓸 수 있을 정도의 빔을 만드는 데 충분한 반양성자를 모으려면 약 24시간이 걸린다.
이렇게 모아진 반양성자들은 315GeV까지 가속되어 반대방향으로 돌고 있는 315GeV 양성자들과 충돌하게 된다. 이때의 상호작용 에너지는 630GeV이다.
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