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결정질과 비결정질을 오갈 수 있는 상전이 물질은 고속 대용량 비휘발성 메모리의 좋은 후보 물질이다. 이들은 전하가 아니라 전기 저항률을 변화시켜 정보를 저장한다. 미국 펜실베니아대 리테시 아가르왈 교수팀은 게르마늄 안티모니 텔루라이드로 만든 나노와이어 메모리가 데이터를 10만년 이나 저장할 수 있다는 사실을 입증했다. 게다가 이 메모리 소자는 기존 휴대용 메모리보다 1000배 빨리 읽고 쓸 수 있다. 데이터는 50나노초 미만에서 0.7 밀리와트 미만의 전력으로 썼다 지울 수 있다. (출처 : 한국과학기술정보연구원)
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・ 2007-10-15
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[Daum백과] 1000배나 빠른 나노와이어 메모리 소자 – 과학향기, KISTI (한국과학기술정보연구원)
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