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  • 자심기억장치 MCM, magnetic core me..
    페라이트를 바깥지름이 2~0.5mm 정도인 고리 모양으로 가공하여 자심을 만들고, 부호를 구성하는 각 비트의 2가지 값에 자심의 잔유자기력선속 방향을 대응시켜 데이터를 축적하는 기억장치. 자심의 중심구멍에 번지선택·기록·판독용 도선을 지나게 하여 가로와 세로로 정연하게 배열한 자심행렬을 만든다. 이것을 바...
    분야 :
    정보장치
  • 자심 기억 장치 磁心記憶裝置, magnetic co..
    페라이트 자심의 잔류 자화 방향을 이용하는 기억 장치. 보통 고리 모양의 자심과 편선(編線)에 따라 회로망을 구성하고, 편선의 전류 일치형 선택으로 기록 또는 파괴 판독을 한다. 주기억 장치에 사용된다.
  • 자심기억장치 磁心記憶裝置, magnetic-core..
    자기장의 2가지 방향 중 임의의 방향으로 자화가 가능한 경자성 물질로 만든, 미세한 원형고리의 배열로써 이루어져 있는 컴퓨터 기억장치의 한 종류.→ 컴퓨터 기억장치.
    도서 다음백과 | 태그 전기/전자
  • 컴퓨터 기억장치 computer memory
    주기억장치에는 자심기억장치·반도체기억장치·자기거품기억장치가 널리 쓰이고 있다. 자심기억장치는 규모가 큰 대형 컴퓨터에서 오랫동안 쓰여왔고 앞으로도 계속 사용될 것이다. 그러나 우주선의 제어나 추적을 위한 대형 컴퓨터에는 점차 자심기억장치 대신 속도가 매우 빠른 반도체기억장치를 사용하고 있다. 자심...
  • 기타 자기기록장치
    저장된 정보에 빠르고 무작위한 접근이 가능하다. 드럼은 테이프와 디스크 장치보다 정보검색이 빠르지만 그들만큼 많은 자료를 저장하지는 못한다. 자심기억장치는 작은 도넛 모양을 닮은 수십만 개의 자기화가 가능한 페라이트 자심을 사용한다. 각 자심을 통해서 2개 이상의 전선이 지나는데, 이 전선에는 시계 방향...
    도서 다음백과 | 태그 전기/전자
  • 자심 기억 장치 메모리 MCM, magnetic c..
    페라이트 자심의 잔류 자화 방향을 이용하는 기억 장치로 보통 토로이덜 자심과 편선(偏線)에 따라 매트릭스를 구성하고 편선의 전류일치형 선택으로 기록 또는 파괴 판독을 한다.
  • 자기코어 메모리 Magnetic-core memory, 磁気コアメモリ
    1비트의 기억 용량을 가진다. 하나의 코어에 쓰기 케이블 두 가닥과 읽기 케이블 한 가닥이 지나간다. 두 가닥의 쓰기 케이블이 가로와 세로로 배열되어 있고, 각 케이블이 만나는 곳마다 코어를 하나씩 통과하게 되어 있다. 코어는 한 가닥의 쓰기 케이블에 전류를 흘렸을 때는 자화되지 않지만, 두 가닥에 전류를...
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  • 영속성 기억 장치 non-volatile memory
    에너지 소비없이 기억 정보를 유지하는 기억 장치로 전원이 끊긴 상태에서도 기억 정보가 소멸되지 않는 것이 특징이다. 자심 기억 장치, 자기 테이프 기억 장치, 자기 드럼 기억 장치 등이 그 예이다.
    도서 기계공학대사전 | 태그 기계
  • 기억 주기 記憶週期, storage cycle
    기억 장치에 써넣기 또는 읽어내오기에 필요한 일련의 조작. 예를 들면, 자심 기억 장치에서는 써넣을 때는 클리어 써넣기, 읽어내오기에서는 읽어내오고 다시 써넣기가 각각 1주기가 된다. 1주기에 요하는 시간(사이클 타임)은 정보의 써넣기 또는 읽어내오기를 위해 실제로 소요되는 시간과 같으므로 이것에 의해 기억...
  • 자기기록 磁氣記錄, magnetic recording
    중 중요한 것은 자기 테이프와 디스크 기록장치이며 이들은 음성 및 화상 신호를 재생할 뿐만 아니라 컴퓨터 자료나 과학·의학용 연구계기들로부터의 측정치들을 저장하는 데 사용된다. 다른 중요한 자기기록소자들로서는 특별히 컴퓨터시스템을 사용하기 위해 고안된 자기 드럼, 자심기억장치, 자기거품기억소자들이...
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  • 인텔 Intel Corporation
    그로브는 1990년대 중반까지 회사의 사장으로 남아 있었다. 1968년 인텔이 만들기 시작한 고밀도집적회로는 반도체를 이용한 기억장치로서 그 당시 표준으로 사용되던 자심기억장치보다 10배 정도 비쌌다. 이 회사는 1970년 처음으로 1kbit 동적임의접근기억장치(Dynamic Random Access Memory/DRAM)인 1103을 개발함...
    설립 :
    1968년 7월
    국가 :
    미국
    설립자 :
    고든 무어(Gordon Moore), 로버트 노이스(Robert Noyce)
    분야 :
    전자
    취급품목 :
    반도체, 컴퓨터 시스템, 소프트웨어, 네트워킹 및 커뮤니케이션 장비
    사이트 :
    http://www.intel.com
    본사 주소 :
    미국 캘리포니아 주 산타클라라
  • 윌리엄스 Sir Frederic (Calland) Williams
    사용할 최초의 완전자동 레이더를 완벽하게 만들었으며, 맨체스터에서 전기기술 교수가 된 1946년에 윌리엄스 관을 발명했다. 윌리엄스 관은 후에 자심 기억장치에 의해 대체되었지만 전세계적으로 1세대 디지털 컴퓨터에 사용되었다. 맨체스터대학교에서 전기공학교수가 되었고 이곳에서 그의 기억장치를 더 발전시켜...
    출생 :
    1911. 6. 26, 잉글랜드 체셔 스톡포트
    사망 :
    1977. 8. 11, 맨체스터
    국적 :
    영국
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